Samsung Electronics anunció hoy su nueva memoria tope de gama, la Flashbolt HBM2E, una nueva memoria de alto rendimiento, y tope de gama, para la próxima generación de superordenadores, Inteligencia Artificial y, cómo no, la próxima generación de GPUs.
Esta memoria cuenta con una velocidad de transferencia de 3.2 Gbps por pin, lo que se traduce en ser un 33 por ciento más rápida que la actual memoria HBM2. En lo que respecta a la densidad, cada die es de 16 GB, es decir que la capacidad se duplica respecto a la memoria HBM2, por lo que 16 GB de memoria Samsung HBM2E es capaz de ofrecer un ancho de banda de 410 GB/s.
“El rendimiento líder de la industria de Flashbolt permitirá soluciones mejoradas para los centros de datos de próxima generación, inteligencia artificial, aprendizaje automático y aplicaciones de gráficos”, dijo Jinman Han, vicepresidente senior del Equipo de Ingeniería de Aplicaciones y Planificación de Productos de Memoria de Samsung Electronics.
“Continuaremos expandiendo nuestra oferta de DRAM premium y mejoraremos nuestro segmento de memoria de” alto rendimiento, alta capacidad y bajo consumo de energía “para satisfacer la demanda del mercado”.
La compañía no indicó ningún detalle en torno a su producción en masa, por lo que se desconoce cuando veremos los primeros productos con esta memoria.
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