En junio ya habiamos visto que fabricantes de memoria DRAM se enfrentabán a una fuerte multa antimonopolio en China, por fin ya tenemos las primeras novedades, y todo pinta bastante favorable para que se termine demostrando la culpabilidad de los principales fabricantes de memoria DRAM por pactar los precios y mantener el mercado de la memoria RAM con precios inflados.
La Administración Estatal China para la Regulación del Mercado ha estado llevando a cabo una investigación antimonopolio del mercado global de memoria RAM. Según una entrevista a Wu Zenghou, jefe de la administración, al Financial Times, este proceso ha encontrado “pruebas masivas” contra las tres compañías (Samsung, SK Hynix y Micron) que son responsables de la gran mayoría de este segmento de mercado.
Incluso hay un precedente más antiguos, ya que Samsung y SK Hynix fueron multados tanto por el Departamento de Justicia de los Estados Unidos en 2005 como por la Comisión Europea en 2010 por acusaciones de fijación de precios. Los cargos ahora son similares, y si las compañías son declaradas culpables, podrían enfrentarse a multas de más de 2.500 millones de dólares.
Algunos analistas sugieren que esta investigación podría ser parte de la guerra comercial entre China y los Estados Unidos. Mientras que el primero intentaba obtener algo de influencia,impulsando a la compañía de semiconductores china Fujian Jinhua Integrated Circuit como un jugador más importante del mercado de memoria RAM. Compañía que, por cierto, está siendo investigada por robar la propiedad intelectual de Micron, Samsung y SK Hynix para fabricar sus propios chips de memoria DRAM.
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